К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2003

Исследование акустостимулированных изменений контактных, приповерхностных и объемных свойств полупроводниковых структур на основе Si и GaAs

О.М.Турсункулов

Диссертации и авторефераты · 2003

Аннотация

Влияние ультразвуковых волн на электронную подсистему может проявляться в процессах переноса носителей заряда, дрейфующих в присутствие ультразвукового поля в полупроводниках имеющих дефекты. Воздействие ультразвукового поля на дефектную подсистему, по всей видимости, будет проявляться в процессах перезарядки дефектов, выступающих в роли центров захвата, а также в процессах структурной перестройки этих дефектов и образования новых видов дефектов.

Доказательный фрагмент

«Влияние ультразвуковых волн на электронную подсистему может проявляться в процессах переноса носителей заряда, дрейфующих в присутствие ультразвукового поля в полупроводниках имеющих дефекты.»

Образец извлечения

Демо-превью

Влияние ультразвуковых волн на электронную подсистему может проявляться в процессах переноса носителей заряда, дрейфующих в присутствие ультразвукового поля в полупроводниках имеющих дефекты. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники