Исследование влияния плотности электронных состояний на коэффициент оптического поглащения в псевдолегированном a-Si:H

Теоритическое исследование механизма формирования спектра коэффициента поглошения света при оптических переходах между различными локализованными и нелокализованными электронными состояниями псевдолегированного аморфн… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.