К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2018

Кремний, арсенид-галлий, рух-селен, қадимий-олтингугурти асосидаги қаттиқ қоришмаларида киритмаларнинг ўзаро таъсири ва улардан олинган гетероструктураларнинг электрофизик хоссалари

Усмонов Шукрулло Негматович

Диссертации и авторефераты · 2018

Аннотация

Тадқиқотнинг мақсади параметрлари асос яримўтказгич таъсирида ўзгарувчи Si2, GaAs, CdS ва ZnSe киритма молекулаларидан фойдаланган ҳолда Si, Ge, Sn, GaAs, GaSb, InSb, ZnSe ва CdS асосида яратилган қаттиқ қоришмаларнинг электрофизик ва люминесцент хусусиятларини аниқлашдан иборат.

Доказательный фрагмент

«Тадқиқотнинг мақсади параметрлари асос яримўтказгич таъсирида ўзгарувчи Si2, GaAs, CdS ва ZnSe киритма молекулаларидан фойдаланган ҳолда Si, Ge, Sn, GaAs, GaSb, InSb, ZnSe ва CdS асосида яратилган қаттиқ қоришмаларнин…»

Образец извлечения

Демо-превью

Тадқиқотнинг мақсади параметрлари асос яримўтказгич таъсирида ўзгарувчи Si2, GaAs, CdS ва ZnSe киритма молекулаларидан фойдаланган ҳолда Si, Ge, Sn, GaAs, GaSb, InSb, ZnSe ва CdS асосида яратилган қаттиқ қоришмаларнин… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники