К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2010

Радиационно-физическое исследование оптических характеристик тонких плёнок А2 В6 и А3 В5 и выявление распределений микродефектов в эпитаксиальных слоях

М.Б.Шарибаев

Диссертации и авторефераты · 2010

Аннотация

Полупроводниковые приборы на основе тонких пленок начинают привлекать внимание исследователей и разработчиков в связи с микроминиатюризацией и необходимостью уменьшения потребляемой энергии, обеспечения их экономичности. В этом аспекте имеются все предпосылки создания нового поколения приборов с улучшенными параметрами на основе квант размерных эффектов, в частности с квантовыми ямами и точками.

Доказательный фрагмент

«Полупроводниковые приборы на основе тонких пленок начинают привлекать внимание исследователей и разработчиков в связи с микроминиатюризацией и необходимостью уменьшения потребляемой энергии, обеспечения их экономичности.»

Образец извлечения

Демо-превью

Полупроводниковые приборы на основе тонких пленок начинают привлекать внимание исследователей и разработчиков в связи с микроминиатюризацией и необходимостью уменьшения потребляемой энергии, обеспечения их экономичности. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники