Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями

Аннотация

В монографии рассматривается фоточувствительность различных типов полупроводниковых структур, содержащих глубокие примесные центры как с дискретным, так и с диффузным характером примесного спектра. Основное внимание уделяется процессам фотовозбуждения полупроводниковых структур ярко выраженными эффектами инжекции или аккумуляции неравновесных носителей и вопросам их применения в оптоэлектронных устройствах, а также в системах оптической связи.