К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2013

Влияние ионной имплантации на состояние поверхности пленок GaAs

Хожиев У.Р.

Выпускные квалификационные работы · 2013

Аннотация

Влияние ионной имплантации на состояние поверхности пленок GaAsТип:Выпускная квалификационная работаАвтор:Хожиев У.Р.Год издания:2013Дата создания:03.09.20230Определение изменения топографии и кристаллической структуры поверхности GaAs при бомбардировке ионами Ar+ и Ba+ и последующего отжига на основе анализа картин РЭМ и ДБЭ.

Доказательный фрагмент

«Влияние ионной имплантации на состояние поверхности пленок GaAsТип:Выпускная квалификационная работаАвтор:Хожиев У.Р.Год издания:2013Дата создания:03.09.20230Определение изменения топографии и кристаллической структур…»

Образец извлечения

Демо-превью

Влияние ионной имплантации на состояние поверхности пленок GaAsТип:Выпускная квалификационная работаАвтор:Хожиев У.Р.Год издания:2013Дата создания:03.09.20230Определение изменения топографии и кристаллической структур… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники