К содержанию
РецензированоRU2013

Изучение образования скрытых слоев CoSi2 при высокоэнергетической имплантации ионов Co+ в Si

Рузиева Л.Х.

Выпускные квалификационные работы · 2013

Аннотация

Изучение образования скрытых слоев CoSi2 при высокоэнергетической имплантации ионов Co+ в SiТип:Выпускная квалификационная работаАвтор:Рузиева Л.Х.Год издания:2013Дата создания:03.09.20230Основной целью данной выпускной квалификационной работы является изучение процессов формирования слоев CoSi2 в приповерхностной области Si при имплантации ионов Co+ с высокой энергией.

Доказательный фрагмент

«Изучение образования скрытых слоев CoSi2 при высокоэнергетической имплантации ионов Co+ в SiТип:Выпускная квалификационная работаАвтор:Рузиева Л.Х.Год издания:2013Дата создания:03.09.20230Основной целью данной выпускн…»

Образец извлечения

Демо-превью

Изучение образования скрытых слоев CoSi2 при высокоэнергетической имплантации ионов Co+ в SiТип:Выпускная квалификационная работаАвтор:Рузиева Л.Х.Год издания:2013Дата создания:03.09.20230Основной целью данной выпускн… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники