К содержанию
РецензированоRU2020

Икки компонентли материаллар (PdBa, TiN, GaAs GaP ва CaF 2 ) асосида ҳосил қилинган наноструктураларнинг электрон структуралари ва физик хусусиятлари

Донаев Сардор Бурханович

Авторефераты диссертаций · 2020

Аннотация

Икки компонентли материаллар (PdBa, TiN, GaAs GaP ва CaF 2 ) асосида ҳосил қилинган наноструктураларнинг электрон структуралари ва физик хусусиятлари

Доказательный фрагмент

«Икки компонентли материаллар (PdBa, TiN, GaAs GaP ва CaF 2 ) асосида ҳосил қилинган наноструктураларнинг электрон структуралари ва физик хусусиятлари»

Образец извлечения

Демо-превью

Икки компонентли материаллар (PdBa, TiN, GaAs GaP ва CaF 2 ) асосида ҳосил қилинган наноструктураларнинг электрон структуралари ва физик хусусиятлари Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники