Медицина и инновацииМ Сабиров, О Скосырева +12021
Икки компонентли материаллар (PdBa, TiN, GaAs GaP ва CaF 2 ) асосида ҳосил қилинган наноструктураларнинг электрон структуралари ва физик хусусиятлари
Донаев Сардор Бурханович
Авторефераты диссертаций · 2020
Аннотация
Икки компонентли материаллар (PdBa, TiN, GaAs GaP ва CaF 2 ) асосида ҳосил қилинган наноструктураларнинг электрон структуралари ва физик хусусиятлари
Доказательный фрагмент
«Икки компонентли материаллар (PdBa, TiN, GaAs GaP ва CaF 2 ) асосида ҳосил қилинган наноструктураларнинг электрон структуралари ва физик хусусиятлари»
Образец извлечения
Демо-превьюИкки компонентли материаллар (PdBa, TiN, GaAs GaP ва CaF 2 ) асосида ҳосил қилинган наноструктураларнинг электрон структуралари ва физик хусусиятлари Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.
Смежные источники
Научные статьиM.H.Sayidova, S.U.Pulatova2025
ЖУРНАЛ ПРАВОВЫХ ИССЛЕДОВАНИЙСуванов Сардор Бахадирович2026