ИССЛЕДОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЁНОК НА ОСНОВЕ CIGS С МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ В ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТЕХНОЛОГИЯХ

Аннотация

Аннотация: В работе рассматриваются тонкие пленки на основе селенида меди, индия и галлия (CIGS) как перспективные материалы для фотоэлектрических технологий. CIGS-пленки обладают высокой эффективностью преобразования солнечной энергии и позволяют создавать гибкие, легкие модули, которые могут использоваться на различных поверхностях. В аннотации анализируются основные методы осаждения и выращивания CIGS-пленок, такие как химическое осаждение из паровой фазы и молекулярно-лучевая эпитаксия, а также их влияние на кристаллическую структуру и фотоэлектрические характеристики материала. Особое внимание уделяется методам повышения эффективности и стабильности CIGS-пленок, в том числе улучшению межслойных переходов и добавлению буферных слоев.